联电再发声明,不存在窃取美光DRAM技术

2018-11-15 17:23:19 嵌入式开发中心 298

近日台湾电子再次发表澄清声明,在其公司网站上发布有关近期和美光及美国法律案件的后续声明,表示联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。而对于和福建晋华的合作,联华电子表示,只是一个符合所有合理商业考量的单纯商业交易。工控主板

 

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联华电子表示,联华电子的DRAM技术基础里的元件设计,是完全不同于美光公司的设计。简而言之,联华电子开发的记忆胞架构是3x2布局的储存单元,这与美光公司的2x3布局的储存单元是完全不同的。这和美光所提出民事和刑事诉讼制造的假象相反。

联华电子表示,38年来,在全球的供应链上,已经成为不可或缺的一员,先进量产技术达14纳米。对比之下,美光公司争执所涉及的DRAM技术,是32纳米,在联华电子的计画启动当时,已经是落后几个世代的技术。

联华电子称,自从联华电子开始为晋华公司开发DRAM制程技术,履行合约义务,联华电子已经花费了数亿新台币。尽管这个专案的研发团队成员接近300人,但只有不到10%的人曾在美光公司工作过。

联华电子最后表示:不要“在报刊上”进行这场诉讼,但联华电子要向我们的客户和投资人保证,联华电子对于任何子虚乌有的控诉和误认事实的指责,将全力并积极地自我防卫。

 

前情回顾:

在本月1日,美国司法部起诉联华电子,指控涉嫌偷窃美光DRAM技术并提供给福建晋华。具有国内自主知识产权的存储 DRAM 技术阵营福建晋华被美方提出最高超过 200 亿美元的罚金,在晋华出面否认美方的指控后,而提出此项指控的美国司法部长杰夫·塞辛斯(Jeff Sessions)已在美国政府的要求下“被辞职”,晋华侵权案陷入僵局。

 






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